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      三星电子宣布，第二代10纳米FinFET工艺技术10LPP的片上系统（SoC）芯片将正式投入量产。从明年年初上市的盖世S9起，将不断扩大10LPP工艺技术的使用范围。

      相比第一代10纳米工艺技术10PLE，10LPP能够实现性能提升10%，功耗降低15%。由于第二代工艺是建立在已经在量产中得到检验的第一代技术的基础上，所以大幅缩短了从产品研发到投入量产的时间，并具有初始生产良率高的特点。

      三星称，明年年初上市的IT产品便会开始使用10纳米10LPP工艺，并会逐渐将其使用范围扩大至不同的消费者群体。

      第二代10纳米10LPP工艺投入量产的同时，三星华城工厂S3晶圆10LPP的量产生产线也准备就绪。

      S3是继韩国器兴的S1和美国奥斯汀的S2后，三星的第三家晶圆代工厂。三星7纳米FinFET工艺技术EUV将在此量产。

文章/金敏洙记者 编译/李天宇