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    三星电子研究小组在世界上首次实现了基于MRAM(磁电阻存储器)的内存(In-Memory)计算，并于12日(英国当地时间)在国际学术杂志《自然》上刊登了研究结果。

     内存计算是在内存内不仅存储数据，还执行数据运算的最尖端芯片技术。

    据三星电子13日称，此次研究的第一作者是三星电子综合技术院专门研究员郑承哲，而综合技术院研究员咸顿熙、哈佛大学教授和综合技术院大师金相俊作为共同通信作者参与了此次研究。

      三星电子综合技术院、半导体研究所、英镑事业部的研究员也共同参与了研究。

      现有的电脑将负责数据存储的存储器芯片和负责数据运算的处理器芯片分开组成。

      而内存计算不仅在内存内存储数据，而且在计算数据时的海耗也非常低。因此，该技术被认为是制造下一代低电力人工智能(AI)芯片的有力技术。 

      可用于内存计算的非挥发性内存候选项目包括MRAM、RRAM和PRAM，迄今为止，除了MRAM之外，其余都实现了内存计算。

      虽然MRAM具有数据稳定性高、速度快的优点，但由于具有电阻低的特性，即使将其应用于内存计算，在电力方面也没有太大的优势，因此此前无法实现内存计算。

      但是，另一种非挥发性内存MRAM，尽管具有数据稳定性高、速度快的优点，但由于其电阻低的特性，即使应用于内存计算，其电力优势也不大，因此无法实现内存计算。

      三星电子方面表示，三星电子研究组将MRAM的这种局限性提出了新的概念“电阻合算”方式的内存计算结构，而不是现有的“电流合算”方式，从而成功设计了低电力。

      研究组将基于MRAM的内存计算芯片的性能应用到人工智能计算中，验证了在数字分类上最高达到98%，在脸部检测上最高达到93%的准确度。

      三星电子评价说，此次研究与系统半导体工程接轨，在世界上首次实现了可以大量生产的非挥发性内存MRAM，并扩大了新一代低功耗人工智能芯片技术，具有重大意义。

      研究小组同时提出，新结构的MRAM芯片不仅可以用于内存计算，还可以用作下载生物神经网络的神经输出平台。

      三星综合技术院专门研究员表示:“郑胜哲——内存计算是存储和运算结合的技术,从记忆和计算,混杂着的人的大脑有类似之处”,“此次研究今后将实际模仿人脑的神经卜某技术研究及开发也可以帮助你。”

      三星电子计划将超差距存储技术力量与系统半导体技术相结合，在下一代计算及人工智能半导体领域持续扩大技术领导能力。