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/韩联社

SK海力士史上首次跻身市值"万亿美元俱乐部"。这是继三星电子之后韩国第二家、继台湾台积电和三星电子之后亚洲第三家实现这一里程碑的企业。

据韩国交易所27日消息，SK海力士当天收盘报224.3万韩元，较前一交易日上涨9.3%（19.1万韩元），自21日起已连续4个交易日上扬。盘中一度突破230万韩元大关，创下强势表现。总市值较前一日增加逾136万亿韩元，达1598.59万亿韩元，以韩元兑美元汇率1500:1换算，已超过1万亿美元规模。此前，三星电子于本月6日率先成为韩国首家市值突破1万亿美元的企业，SK海力士仅时隔3周便跻身同一行列。

在全球主要企业市值排名中，SK海力士较前一日上升一位，升至第12名，超越了沃伦·巴菲特旗下伯克希尔·哈撒韦（1.043万亿美元）和美国半导体企业美光科技（1.01万亿美元）。第1至5位分别为英伟达、谷歌、苹果、微软、亚马逊，第6至11位依次为台积电、博通、沙特阿美、特斯拉、Meta、三星电子。

分析认为，随着全球AI基础设施投资持续扩大，包括HBM（高带宽内存）在内的存储半导体供应短缺态势预计将持续，SK海力士作为直接受益者由此获得了强劲推动。

证券业界也在持续上调SK海力士目标股价。当天，未来资产证券将SK海力士目标股价由原来的320万韩元上调至380万韩元。未来资产证券研究员金英健分析称："预计至2028年DRAM和NAND供不应求的局面将持续，且较高的价格区间有望得以维持；代表存储需求强度的现货价格在短暂调整后也已呈现反弹态势。"他还评价道："股价已处于绝对的高位水平，但判断仍有充足的上涨空间。"

另外，SK海力士近期公开了以提升HBM竞争力为目标、搭载ICE（一体化冷却元件）以降低发热的"iHBM"技术。ICE是一种利用不导电但导热性高的硅材料、在HBM封装内部形成额外散热通道的冷却元件，可将热阻比传统方案降低30%以上，并在高温、高负载环境下保持稳定的运行特性。

SK海力士计划从HBM5（第8代）等下一代产品起正式应用iHBM技术，以满足高性能计算（HPC）、AI数据中心等超高集成度、超高带宽环境对热管理的严苛要求，从而全面提升系统稳定性与运营效率。

延赞模 记者