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三星电子将于2027年批量生产1.4纳米产品 与TSMC的技术竞争加剧

新闻发布 [2022-10-04 16:35] 翻译: among2008@asiatoday.co.kr
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韩国今日亚洲-崔远荣记者 =  



      三星电子宣布2025年批量生产2纳米(10亿分之一米),2027年批量生产1.4纳米工艺的代工。 TSMC也算是提前一步推出了没有具体化的发展蓝图。

      三星电子3日(当地时间)在美国硅谷举行了"三星代工论坛2022(Samsung Foundry Forum 2022)",首次公开了包含上述内容的代工新技术和事业战略。

      时隔三年再次线下举行的今年三星代工论坛上,无晶圆厂顾客、合作公司、合作伙伴等500多人参加了论坛。

      当天,三星电子代工事业部长崔时英(音)社长强调:"客户的成功是三星电子代工事业部存在的理由。三星电子作为创造更好未来的合作伙伴,将成为代工产业的新标准。"

      三星电子于2015年在世界上首次批量生产FinFET晶体管,今年6月在世界上首次批量生产适用GAA(Gate All Around)晶体管技术的3纳米第一代工程,以先进的批量生产经验为基础,正在扩大3纳米应用。

     三星计划持续进行以GAA为基础的工程技术革新,在2025年和2027年分别引进2纳米和1.4纳米工程。 据悉,目前进入3纳米工程的TSMC也着手开发1.4纳米工程,但尚未公布具体计划。

      三星计划在目前正在批量生产的3纳米GAA技术上适用独立的MBCFET(Multi Bridge Channel FET)结构,同时提供3DIC解决方案,并提供高性能半导体代工服务。

      三星电子还决定,到2027年为止,将除手机以外的产品群的销售比重提高到50%以上。 目前集中于手机的销售额,计划积极攻占高性能计算(HPC)、汽车用半导体、5G、物联网(IoT)等高性能低电力半导体市场。

      三星电子继今年6月在世界上首次批量生产以3纳米工艺为基础的HPC产品后,正在将4纳米工艺扩大到HPC和Automotive。 目前正在批量生产的28纳米车用eNVM解决方案将于2024年扩大到14纳米,并正在开发今后8纳米eNVM解决方案的技术。

      三星电子计划到2027年为止,将船队工程生产能力比今年扩大3倍以上,积极应对顾客需求。 在平泽、华城和美国泰勒运营船队工程代工生产线,在华城、器兴和美国奥斯汀批量生产成熟工程。

      特别是三星电子计划今后通过运营"Shell First"生产线,迅速、灵活地应对市场需求。 "shell first"是指先发制人地建设清洁室,今后通过与市场需求相关的弹性设备投资,确保稳定的生产能力,积极应对顾客需求。 继美国泰勒Foundry第一生产线之后,计划根据"shell first"进行投资的第二生产线,并表示今后有可能扩大国内外全球生产线。

      另外,三星电子计划3日(当地时间)在美国(硅谷)举行"三星代工论坛",7日在欧洲(德国慕尼黑)、18日日本(东京)、20日在韩国(首尔)依次举行"三星代工论坛",介绍各地区针对顾客的解决方案。 另外,为了难以参加线下活动的全球顾客,计划从21日开始在网上公开活动内容。

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