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SK海力士HBM4E/SK海力士

SK海力士18日宣布，已将下一代AI用超高性能DRAM新产品"HBM4E"12层样品供应给主要客户。

SK海力士表示，"基于迄今积累的HBM先行开发能力和生产经验，能够向客户展示HBM4E 12层样品"，并说"将与核心客户紧密协作，为及时量产做好准备"。

新产品的特点是相比上一代HBM4，在性能和电能效率上都提升了一个台阶。每引脚最大数据处理速度达到16Gbps，能源效率提升20%以上，大幅提高了AI学习和推理所需的数据处理性能。

此外，HBM4E通过最新接口和设计优化，降低了数据传输延迟，即使在高带宽环境下也能稳定运行。公司预计通过这一产品，能进一步提升下一代AI数据中心和大规模计算系统的处理效率。

SK海力士在HBM4E中应用了Advanced MR-MUF工艺，在12层堆叠标准下实现48GB容量，同时提高了结构稳定性。特别是将热阻相比HBM4降低了约17%，确保内存在高性能计算环境中也能稳定工作。

SK海力士开发总裁An Hyun表示，"在HBM4E产品上继续发挥业界最高的技术竞争力和量产能力，为持续引领AI创新奠定了基础"，并表示"将基于与合作伙伴的协力，率先实现市场所需的价值，巩固作为全栈AI内存创造者的技术领导力"。

安昭妍 记者