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中国半导体企业在通用型DRAM之后，正将研发领域拓展至人工智能（AI）用高带宽内存（HBM），韩国半导体产业的技术保护能力由此面临考验。尽管在先进存储领域，中国企业与三星电子、SK海力士仍存在技术差距，但中国的追赶范围正在不断扩大。在韩国企业扩大新一代产品供应之际，涉嫌向中国泄露核心工艺技术的案件也接连浮出水面，如何保护长期积累的制造经验和专业人才，已成为决定产业竞争力的重要课题。

11日，《今日亚洲》迎来创刊21周年。该报分析国际社会调查项目（ISSP）有关“数字社会”的调查数据发现，韩国社会普遍重视企业在个人信息保护方面应承担的责任。这种责任意识在半导体产业同样重要。保护核心工艺技术和商业机密的安全体系，是维护研发成果和产业竞争力的基础。

随着中国企业加速追赶，半导体企业的信息保护工作愈发重要。据市场调查机构Counterpoint Research统计，中国长鑫存储（CXMT）今年第三季度全球DRAM销售额市场份额为9%，较去年同期的5%上升4个百分点。同期，三星电子的市场份额从33%升至38%，SK海力士则从33%降至29%。尽管韩国企业目前仍保持明显的市场优势，但中国企业正在迅速扩大市场影响力，这一趋势已引起半导体行业关注。

在先进存储领域，中国企业也在持续追赶。路透社上月28日援引消息人士报道称，长鑫存储正推进HBM3E的生产计划。尽管较低的良品率被认为是其面临的障碍，但这表明中国企业正试图将其在通用型DRAM领域积累的生产基础拓展至AI存储芯片领域。

与此同时，长鑫存储也在加快开发下一代DRAM架构——4F²。该公司在上月30日公布业绩时表示，基于4F²架构的第六代DRAM工艺平台已完成原型验证，并计划于今年年底向客户提供采用该技术的服务器用DDR5内存模组样品。

除了DRAM，中国企业在NAND闪存市场的占比也在不断提高。中国长江存储（YMTC）今年第二季度占全球NAND闪存比特出货量的14%，跻身全球前三大厂商之列。

技术泄露进一步加大了韩国企业维持技术领先优势的难度。首尔中央地方检察厅去年12月23日宣布，以涉嫌将三星电子DRAM工艺技术泄露给长鑫存储等罪名，起诉包括前任员工和研发人员在内的10人。检方认定，一名三星电子研究人员在跳槽过程中，手抄数百个环节的工艺信息并将其泄露，长鑫存储随后对相关技术进行修改和验证，并将其应用于DRAM研发及量产。检方调查结果还包括通过合作企业获取SK海力士工艺技术的相关内容。

相关案件的审理仍在继续。首尔高等法院上月22日对全某作出二审判决，判处其有期徒刑5年。全某因涉嫌汇总从三星电子泄露的DRAM技术资料，并将其用于测算长鑫存储的投资成本等而被起诉。全某曾任职于三星电子，之后跳槽至长鑫存储并负责相关工作。

此次事件表明，仅靠阻止文件外泄，并不足以构建完善的技术保护体系。除了工艺资料，调整制造条件、提高良品率的经验和诀窍，同样是企业竞争力的核心。因此，除了加强员工离职时的商业机密管理，还必须严格管控向设备及材料供应商共享的信息范围，并建立完善的核心资料访问权限管理体系。

韩国企业正加大对安全系统和员工管理的投入，以提升技术保护能力。三星电子在2026年信息保护披露资料中公开了多项措施，包括签署商业机密保护及核心技术接触承诺书、对国家核心技术接触人员开展培训、引入研发样品外带管理应用程序，以及在工作场所开展突击式违规携带资料外出演练等。SK海力士则披露了建立全公司统一权限管理体系、检查安全USB设备以及签署信息保护承诺书等措施。

此外，为进一步拉大与中国企业的技术差距，韩国企业正着力提升新一代产品从研发到量产的整体竞争力。三星电子在今年第三季度业绩发布会上提出，将扩大HBM4、高性能DDR5及服务器SSD的销售。SK海力士则计划通过扩大M15X工厂的运营，提高HBM4产量，同时扩大基于321层NAND闪存的企业级SSD供应。其战略不仅着眼于产品性能，也力求同时确保良品率和供应稳定性。

韩国半导体产业协会常务理事安基贤表示：“中国目前与三星电子、SK海力士仍存在技术差距，但考虑到中国已经实现DDR5商业化，可以肯定的是，双方差距正在迅速缩小。近期推出的4F²技术虽然被认为距离商业化仍需时日，但从技术发展速度来看，值得关注的恰恰是中国企业已经提出了相关技术计划这一事实。”

另外，此次调查数据来自成均馆大学调查研究中心参与的韩国综合社会调查（KGSS），比较对象包括韩国、日本、台湾、美国、加拿大、德国、法国、芬兰和以色列等9个国家和地区。韩国部分的调查于去年4月至6月以面对面访谈方式进行，共有1211人参与。

李知善 记者