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SK海力士位于清州的P&T7先进封装生产基地效果图。/SK海力士

随着AI半导体性能竞争不断升级，行业竞争焦点正从单纯提升计算能力，进一步扩展至如何更快速、高效地连接存储器与计算芯片。随着AI加速器算力迅速提升，存储器带宽和芯片间数据传输速度难以同步跟上，先进封装正成为解决这一新瓶颈的核心技术。三星电子和SK海力士也在加大相关投资和技术研发力度。

据Counterpoint Research预测，未来5年，将有超过1.3亿颗用于AI服务器的图形处理器（GPU）和专用集成电路（ASIC）通过先进封装与存储器结合后出货，由此带来的计算业务收入预计将达到约2万亿美元。

随着AI半导体计算速度不断提高，如果存储器的数据供应速度无法跟上，或芯片之间的数据传输出现延迟，就会形成新的“瓶颈”。因此，先进封装的重要性预计将进一步提升。

目前，先进封装生态系统由台积电凭借CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）技术占据主导地位。该技术通过硅中介层将GPU和HBM整合至同一封装中，并随着英伟达采用而成为先进封装领域的代表性技术。

英特尔也在加快先进封装技术布局。继采用在芯片之间插入硅桥进行连接的EMIB技术后，公司正开发ZAM、XBM等新一代技术，以缓解存储器与计算芯片之间的数据传输瓶颈。今年6月，英特尔还聘请原SK海力士首席执行官李锡熙，负责先进封装及后道工艺技术的研发和制造，以强化相关竞争力。

韩国企业同样在加速提升封装竞争力。三星电子正强化同时提供HBM、晶圆代工和先进封装的一站式战略。三星还通过与博通合作建设下一代AI基础设施，将合作范围从HBM和2纳米以下先进制程晶圆代工，进一步扩大至2.3D、2.5D先进封装。随着AI和数据中心需求增长，客户同时 확보存储器和晶圆代工服务的需求预计也将进一步增加。

SK海力士则计划在韩国清州投资约19万亿韩元建设先进封装生产基地P&T7，并在美国印第安纳州建设面向HBM的先进封装生产和研发基地，以应对HBM堆叠层数增加及AI存储器需求扩大的趋势，提升先进封装产能。

与此同时，SK海力士还在推进下一代互连技术研究，以解决芯片间数据传输瓶颈。公司当天与全球研究团队共同在国际学术期刊《自然·电子学》上公布了CPO（Co-Packaged Optics，共封装光学）技术路线图，将光收发器与处理器集成于同一封装中。

业内认为，随着AI半导体性能持续提升以及HBM不断向更高堆叠层数发展，先进封装的重要性将进一步凸显。未来AI芯片的竞争力，不仅取决于通过先进制程提升计算性能，还将取决于如何高效连接存储器和计算芯片，并提升数据传输速度和能源效率。

李知善 记者