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三星电子存储器事业部商品企划组长崔长锡（常务）1日在台湾台北举行的“SEMICON Taiwan 2026”预热活动“存储器高管峰会”上发表演讲。/三星电子

三星电子公布了突破存储器技术瓶颈的新战略。三星计划通过提升代表容量、利用率、带宽以及功耗和散热效率的“CUBE（Capacity·Utilization·Bandwidth·Efficiency）”技术，进一步巩固存储器领域的主导地位。

三星电子DS部门存储器事业部商品企划组长崔长锡（常务）1日（当地时间）在台湾台北举行的“SEMICON Taiwan 2026”上分享了强化存储器主导地位的愿景。SEMICON Taiwan是展示涵盖半导体设计、制造、测试和封装等最新技术的国际展会，由国际半导体产业协会（SEMI）主办，主要半导体企业均参与其中。

今年的展会将于2日至4日举行。在正式活动开始前的当天，还举行了汇聚全球企业高管的专业会议“存储器高管峰会”。崔常务在会上分享了突破存储器技术极限的CUBE战略。

首先，为突破容量（Capacity）限制，三星正在研究无需扩大电路板面积、通过垂直方向增加容量的方法。为提高利用率（Utilization），三星计划采用优化逻辑与存储器布局的3D方式进行堆叠。此外，还将缩短各层之间的距离，通过“垂直高速公路”改善带宽（Bandwidth），同时降低传输单个比特数据所需的能量，从而提高结构效率（Efficiency）。

三星电子一直以来持续提升从第二代高带宽存储器（HBM2）到HBM5各代产品的容量、带宽、功耗效率及散热管理技术，并随着AI计算需求不断增长加快技术研发速度。

三星计划推出比下一代HBM4E更先进的HBM5，以满足未来AI系统的需求。其性能将提升至2倍，每瓦性能提高20%，同时将开发热阻降低20%的产品。三星近期提出的新架构zHBM，则以相比HBM5性能提升4至8倍、每瓦性能提升3倍、热阻降低75%至90%为目标。

三星不仅针对HBM，还提出了NAND的垂直化方案，力求突破容量和功耗效率方面的限制。三星提出的zNAND-O可提供比DRAM高10倍的比特密度，在支持大语言模型（LLM）所需大容量的同时，还能提供比NAND高7倍的读取带宽和功耗效率。三星电子计划于2028年开始进行样品测试。

凭借上述技术竞争力以及全球最大规模的生产能力，三星目前在DRAM和NAND闪存市场保持全球第一。据市场调查机构Counterpoint Research统计，今年第二季度，三星电子在全球DRAM市场按销售额计算的份额达到39%，位居第一。

在NAND闪存市场，三星同样位居全球第一。据市场调查机构TrendForce统计，三星电子第二季度在NAND闪存市场的销售额约为230.6亿美元，市场份额为29.3%。

三星电子的生产能力同样处于全球最大规模。市场调查机构Omdia预计，三星今年DRAM产能按300毫米晶圆计算，年产量约为817.5万片。SK海力士约为666万片，美光约为360万片。NAND方面，三星晶圆产量约为477万片，也大幅领先于SK海力士和Solidigm的279万片。

三星电子相关人士表示：“我们将以技术领导力和大规模生产基础设施为基础，从通用DRAM、NAND到HBM、企业级SSD等高附加值AI存储器，及时应对市场需求，持续扩大对全球存储器市场的主导权。”

李知善 记者