李在镕视察三星电子器兴R&D工厂

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李在镕视察三星电子器兴R&D工厂

新闻发布 [2025-12-22 13:50] 翻译： among2008@asiatoday.co.kr

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李在镕/韩联社

三星电子会长李在镕视察了负责半导体事业的DS部门韩国工厂。

22日，据业界透露，李在镕当天访问了位于京畿道器兴园区的DS部门新一代研究开发园区"NRD-K"等存储器半导体工厂。这是本月15日结束美国出差回国后，时隔一周再次访问韩国工厂。

这被解读为是为了检查以今年下半年为起点，进入业绩改善趋势的半导体事业现场，鼓舞职员们的士气。

三星电子从今年第三季度开始大幅扩大HBM(高带宽存储器)的出货量，宣告了一度萎靡不振的半导体事业的复活。随着致力于扩大全球AI基础设施投资的通用DRAM价格的上涨，获得了较高的营业利润。第三季度DS部门的销售额和营业利润分别为33.1万亿韩元和7万亿韩元，同比增长13%和81.3%。

证券界提出，今年下半年包括HBM等在内的存储器半导体的营业利润有可能增加到23万亿韩元以上。与创下6万亿韩元的上半年相比，增加了4倍左右。最近，随着英伟达对第六代HBM"HBM4"的肯定评价，有评价认为，明年向英伟达供应也亮起了绿灯。HBM4将搭载在预计明年上市的英伟达AI加速器"Vera Rubin"上。

KB证券调查本部长金东元(音)评价道:"三星电子是拥有全球最大DRAM生产能力的企业，同时反映了服务器DRAM和HBM的价格上调效果，明年的营业利润将比去年增加129%，进入100万亿韩元的可视圈"，"从明年上半年开始，预计HBM4的出货量将扩大，业绩覆盖率将大幅提高"。

据悉，李在镕最近在美国出差期间会见了特斯拉CEO埃隆马斯克、AMD CEO苏丰姿等主要大科技管理层，讨论了AI芯片合作等问题。

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