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SK海力士首席执行官郭鲁正于当地时间27日在美国印第安纳州西拉斐特普渡大学举行的AI内存生产基地奠基仪式上，介绍公司业务战略和愿景。/SK海力士

SK海力士将在美国建设下一代高带宽内存（HBM）生产基地。业内认为，此举对于开启韩美两国人工智能（AI）合作的新篇章具有重要意义。

SK海力士28日表示，公司于当地时间27日在位于美国印第安纳州西拉斐特的普渡大学哈洛威体育馆举行“AI内存先进封装生产基地”奠基仪式。先进封装是指通过将多个芯片集成或垂直堆叠在一起，以突破芯片尺寸微缩工艺极限、提升性能的先进半导体后道工艺技术。

出席仪式的美方人士包括印第安纳州州长迈克·布劳恩、联邦参议员托德·扬等政界人士，以及普渡大学校长米奇·丹尼尔斯、驻韩美军退伍军人协会主席罗伯特·艾布拉姆斯等。韩方则有韩国驻美国大使康京和、SK集团美洲业务总负责人柳正俊副会长、李亨熙副会长，以及SK海力士首席执行官郭鲁正等出席。

此次建设的印第安纳工厂总投资额将超过40亿美元，计划于2028年10月完成洁净室建设，并于2029年下半年开始量产下一代HBM。SK海力士方面表示，随着未来生产全面启动，该基地有望发展成为由约1000名员工支撑的美国核心HBM生产基地。

SK海力士强调，这是公司首次在美国建设HBM生产前沿基地，其特点是韩国与美国之间的生产体系将实现紧密衔接。韩国生产的尖端晶圆将运往印第安纳州，在当地完成先进封装和测试后，制成“美国制造”的HBM产品并供应给美国客户。

此外，这也意味着在美国存托凭证（ADR）上市后，SK海力士对美实质性投资正式全面展开。公司表示，此举将有助于稳定美国半导体供应链，并提升美国的国家安全和经济实力。

SK海力士表示，目前已有超过100家材料、零部件及设备合作企业正在讨论进军西拉斐特。公司预计，这将为印第安纳工厂的稳定运营提供支持，并进一步巩固美国AI产业生态。同时，公司计划通过工厂建设和运营，在美国创造约7000个直接及间接就业岗位。

当天，SK海力士还与普渡大学签署了关于先进封装领域研发合作的谅解备忘录。

双方将围绕HBM在内的下一代系统集成及先进封装技术开展联合研究。SK海力士还计划扩大与美国中西部地区主要大学和研究机构的合作，加强全球顶尖人才的培养和引进。

郭鲁正表示：“今天是美国与SK海力士共同开启AI新时代的一天。美国是汇聚顶尖客户、科研能力和产业生态的AI创新中心，而印第安纳工厂将成为首个提供‘美国制造’HBM的基地。”

他表示：“我们将进一步扩大对美国的投资与合作，与美国共同成长，并成为共同开创美国AI未来的最值得信赖的合作伙伴。”

崔仁奎 记者