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8日举行的“2026 SK海力士未来论坛”上，SK海力士代表理事社长郭鲁正致辞。/SK海力士

SK海力士代表理事社长郭鲁正表示，人工智能（AI）时代存储器市场的竞争格局正在快速变化，需要从客户和合作伙伴的视角重新审视业务及技术战略。SK海力士将超越高带宽存储器（HBM），根据AI工作负载提供3D堆叠DRAM、HBF等多种存储器，并与加速器、软件企业等从系统层面共同设计，进一步强化“全栈AI存储器”战略。

SK海力士9日表示，公司于8日在利川园区SUPEX中心举行了“2026 SK海力士未来论坛”。今年论坛以“AI时代的黄金时间，AI存储器解决方案创造者改变世界的当下”为主题，重点讨论在AI改变工作方式和产业结构的背景下，存储器应向何种方向发展。

郭社长在开幕致辞中要求企业转向“由外而内（Outside-in）”的视角，即从客户和合作伙伴的角度重新审视公司内部习以为常的业务和技术，在AI生态系统变化中寻找新的机会。

郭社长将过去以速度竞争为中心的存储器市场比作“直线公路”，而如今的市场则像一条形势瞬息万变的“弯道公路”。他指出，与其只关注内部能力，如今更重要的是洞察外部环境变化的速度和方向，并具备灵活应对的能力。

对此，SK海力士正在推动从单纯供应存储器产品向综合考虑整个AI系统的“全栈AI存储器”企业转型。

SK海力士副社长任义哲在论坛上介绍了相关战略，即根据AI工作负载特点组合3D堆叠DRAM、HBM、HBF等多种存储器，并与AI服务、软件、加速器企业推进“系统级共同设计（System-level Co-design）”。其构想是从单纯的存储器设备供应商转型为理解AI系统并参与共同设计的“全栈AI存储器创造者”。

随着AI发展为能够自主设定目标并执行任务的“智能体AI（Agentic AI）”，存储器所承担的作用也越来越大。论坛与会者认为，随着AI需要记忆和处理的数据不断增加，仅依靠一种通用存储器已难以满足需求。

因此，除了HBM和DRAM之外，还需要根据工作负载组合基于CXL的存储器、固态硬盘（SSD）等不同类型的存储器，并与加速器一道从系统层面进行优化，从而同时提升AI基础设施的性能并改善总拥有成本（TCO）。

论坛提出，“3D”技术将成为下一代存储器技术的核心。随着仅依靠微细工艺转型提升性能逐渐触及极限，通过垂直连接存储器与逻辑芯片、缩短数据传输距离的3D技术重要性正在不断提高。

SK海力士提出的主要技术方向包括最大化数据总线带宽、实现超短距离传输，以及在DRAM外围电路中应用逻辑代工技术等。公司表示，要将3D堆叠DRAM真正实现产品化，还需要解决设计、散热、微型互连与键合、工艺整合等技术难题。

论坛还强调了生态系统合作的重要性。小组讨论环节邀请了台积电AI及HPC业务开发负责人，以及Rebellions、HyperAccel等AI半导体生态系统相关人士，就存储器市场变化及SK海力士未来战略展开讨论。

SK海力士计划将此次论坛形成的洞察制作成公司内部学习内容，并与各组织的实际课题相结合。公司目标是在AI时代的“黄金时间”把握机遇，向全栈AI存储器创造者迈进。

李知善 记者