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三星电子CTO宋在赫社长于当地时间2日在台湾台北举办的Computex展上，正在介绍公司主要产品及技术／三星电子

三星电子继第七代高带宽存储器（HBM）HBM4E样品出货之后，又全球首次公开了下一代HBM5实物模型，正式宣示抢占下一代存储器市场的决心。凭借全新散热管理技术的应用、稳定性的提升以及系统效率的优化，三星向全球展示了其无可撼动的技术领导力。

当地时间2日，三星电子参加在台湾台北举办的Computex 2026，全球首次公开了HBM5实物模型。当天，DS部门首席技术官（CTO）宋在赫社长在介绍HBM5时，重点阐释了搭载次世代散热管理技术HPB（Heat Path Block）的产品结构及技术发展方向。

HPB是为解决AI存储器高性能化过程中日益突出的散热问题而开发的技术，旨在实现更高效的热量分散与排放。三星方面介绍，HBM5通过额外增设独立热传导路径，有效降低了热阻，提升了运行稳定性。

三星电子还强调，已在已完成样品出货的HBM4E产品上完成了HPB技术的实现与验证，意味着从结构设计到可靠性、封装稳定性均已通过实际产品的全面验证。

宋社长表示，如此迅速的技术进步源于综合半导体的整体实力，计划将涵盖产品设计、存储器、封装的全栈能力全面应用于HBM5，持续推动产品性能与稳定性的提升。

此次展会上，三星电子还同步展出了HBM4E晶圆及芯片组。HBM4E采用最先进1c DRAM核心晶粒与自研晶圆代工4纳米工艺基础晶粒相结合的架构，是集三星全栈解决方案竞争力于一体的旗舰产品。该产品已于上月29日完成首批样品出货，可稳定运行于每引脚14Gbps，并已验证最高可实现16Gbps（最大4TB/s带宽）的技术竞争力。

此外，本次三星电子Computex展台还展出了搭载三星产品的英伟达Vera Rubin系统，集中展示了从HBM4、SOCAMM2、PM1763等支持Vera Rubin系统的存储器到存储解决方案的完整产品矩阵。

尤其值得关注的是，今年2月三星电子率行业之先量产出货的HBM4，可实现行业最高性能11.7Gbps（最高达13Gbps），为客户AI系统的超高速数据处理提供强力支撑。宋社长表示："计划以与英伟达为首的全球企业的合作为基础，持续强化下一代存储器技术竞争力。"

李知善 记者